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第86章 纳米线(1/2)

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  2月19日。

  黄修远一行人,终于回到了汕美。

  一回到汕美,陆学东就找上门来,俩人来到半导体实验室。

  更换了全身防护服后,俩人进入一个无尘室内,在一个工作台上,陆学东兴奋地指着一块半透明的薄膜:“修远,你看看这个。”

  那薄膜非常轻薄,四个边是一种夹子,将薄膜牢牢地固定住。

  “纳米线编织的薄膜?”黄修远显然知道是什么东西。

  陆学东点了点头:“就是纳米线,三天前我们成功合成了强度比较强的硅纳米线,强度已经可以维持编织操作。”

  打开一旁的内部电脑,找到检测报告,其中还有透镜电子显微镜的检测画面。

  他看到了排列整齐的硅原子画面,这和他记忆之中的画面,几乎是一模一样。

  黄修远转动椅子:“磷、硼、砷、铝呢?”

  “磷线、砷线已经有一些思路,六边氧化硅可以合成磷纳米线,只是目前的强度还有问题,正在改进中。”

  陆学东停顿了一下,接着说道:“硼和铝方面,我从五边氧化硅尝试着,虽然勉强通过了,但是一直没有办法合成纳米线。”

  对于这个情况,黄修远确实一清二楚,他说出了自己的思路:

  “不用在无边氧化硅上浪费时间了,为什么不从七边氧化硅这边下手。”

  “七边氧化硅?可是氧族并没有适合的半导体材料。”陆学东有些不解。

  “哈哈。”黄修远笑了笑:“为什么不让氧原子做带路党。”

  陆学东一愣,瞬间反应过来:“这确实有可能,只是形成纳米线后,混杂其中的氧原子如何清除?”

  “你不会忘记,氮16的另一个特性吧?”

  被他提醒后,陆学东顿时眼前一亮。

  因为氮16除了强催化的功能,还有另一个功能,在强紫外线和特定温度下,氮16分子会分解成为氮气,如果周围存在氧原子,氮16会和氧原子强制结合,生成一氧化氮(NO)。

  就算是氧化物中的氧原子,也没有办法阻挡氮16的强制结合。

  如此一来,氧化铝、氧化硼形成的纳米线,就可以通过氮16,去除其中的氧原子,形成单质的铝纳米线、硼纳米线。

  陆学东打算尝试一下,而黄修远却知道其中的合成技术:“这一部分交给我吧!”

  “好。”

  回归科研工作的黄修远,带着十几个研究员,尝试让氧化硼、氧化铝、氧化铜,形成纳米线。

  在材料实验室中。

  一台七边氧化硅—筛合器,漏斗状的上侧容器里面,装满了氧化硼粉末。

  这些氧化硼(三氧化二硼)粉末,都是经过过筛的单分子状态,也是最适合作为合成原材料的状态。

  由于氧化硼一般以无定形状态存在,通常难以形成晶体,但是经过高强度退火后,也可以形成晶体。

  尝试了十几次后,黄修远改进了实验加热方式,采用了激光器聚焦在七边氧化硅的喷出口处。

  这是一个非常精细的工作,连续烧毁了上百张七边氧化硅薄膜后,才调试出合格的位置。

  激光器聚焦的位置,距离七边氧化硅的喷出口,仅仅只有23纳米左右,这个距离已经是极限了。

  倒不是不可以继续逼近,而是再靠近喷出口,激光会迅速烧毁七边氧化硅薄膜。

  就算是这个距离,一张七边氧化硅薄膜,也最多只能连续工作10~12个小时,就会彻底报废。
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